序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 二类超晶格ICP刻蚀机 | 1台 | 用于红外焦平面探测器芯片高深宽比、高均匀性、低损伤探测器芯片刻蚀工艺。感应耦合等离子体刻蚀机采用模块化设计,整机包括工艺模块、传输模块和软件控制模块;晶片在工艺模块内进行刻蚀,工艺时,在晶片上方产生等离子体,对晶片进行刻蚀;自动传输模块装有机械手,实现晶片在其和工艺模块之间的传输;感应耦合等离子体刻蚀机具备智能化的软件操作系统,实现单片晶圆的自动刻蚀工艺。 | 交货期为合同生效后6个月内; 交付地点为用户最终使用现场 |
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